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基于NAND非易失性闪存芯片的固态存储技术的应用及性能提升研究

发布时间:2019-08-20 12:35 来源:未知 编辑:admin

  随着电子产业尤其是消费电子的迅猛发展,记忆体产品的发展越来越成为电子科技发展的标杆之一。从最初的以DRAM(即动态随机存储器)占主导到现在以Flash Memory (即非易失闪存记忆体)为最大阵营;记忆半导体的发展速度不断挑战着摩尔定律,转眼间DRAM来到了3X纳米时代,NAND Flash更是跨入了2X纳米时代。而SSD的应用发展无疑又将成为新一轮NAND Flash和存储行业发展的源动力。本文就是基于SSD的现状和发展而展开的一篇研究性论文。 本文首先介绍了记忆半导体的发展和主要分类,并相应介绍了各自的技术类型和特点。接着对其中的快闪存储器的工作原理和发展历程作了详细的介绍,并着重讨论了NAND闪存的特性、业界情况、和市场应用的现状,进而引出了固态存储这项技术。 接着,我专门介绍了固态存储技术的发展历程和供应商,并着重讨论了SSD中最重要的两个技术因素:NAND闪存和控制芯片技术及其对SSD的影响;并根据自己在SSD上的工作项目经验作了事件说明,处理过程及最后的验证、推向市场。 最后,根据自己的研究和业界信息的分析,本文分别从固态存储器的市场应用的发展和技术的发展作了分析和展望,提出了固态存储技术将是未来存储技术市场的主力军并成为带领快闪存储器技术发展的重要推动力。

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