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主板上的固态电容和静态电容有什么区别?

发布时间:2019-08-14 12:34 来源:未知 编辑:admin

  随即存储器是以相同速度高速地、随机地写入和读出数据(写入速度和读出速度可以不同)的一种半导体存储器。简称RAM。RAM的优点是存取速度快、读写方便,缺点是数据不能长久保持,断电后自行消失,因此主要用于计算机主存储器等要求快速存储的系统。按工作方式不同,可分为静态和动态两类。静态随机存储器(SRAM)的单元电路是触发器,存入的信息在规定的电源电压下便不会改变。SRAM速度快,使用方便。动态随机存储器 ( DRAM ) 的单元由一个金属-氧化物-半导体(MOS)电容和一个MOS晶体管构成,数据以电荷形式存放在电容之中 ,需每隔 2~4毫秒对单元电路存储信息重写一次(刷新)。DRAM存储单元器件数量少,集成度高,应用广泛。 只读存储器是只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称ROM。ROM所存数据,一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定 ,断电后所存数据也不会改变;其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,不同用户所需只读存储器的内容不同。为便于使 用和大批 量 生产 ,进一步 发 展了可 编 程只读存 储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除,使用很不方便。20世纪 80 年代制出的 EEPROM ,克服了EPROM的不足,但集成度不高 ,价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同 EPROM 相似的快闪存储器 。其集成度高、功耗低 、体积小 ,又能在线快速擦除 ,因而获得飞速发展,并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管制成。

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